一种低成本高纯硫化镉的制备工艺及步骤

硫化镉(CdS)是化学性能较为稳定的宽禁带半导体材料，其禁带宽度Eg为2.42ev，分子量为144.46g/mol，无放射性，微溶于水和乙醇，溶于酸且极易溶于氨水。CdS纳米薄膜具有良好的光电转换特性，能很好地匹配太阳能光谱可见光区且对可见光有非常好的透射率，通常使用CdS纳米薄膜充当窗口层与P型半导体材料一起构成异质结太阳能电池。如CdS纳米薄膜可在CIGS薄膜太阳能电池中作为n型半导体层，与CIGS层构成p-n结，组成太阳能电池。同时CdS是目前与CIGS匹配最好的缓冲层材料，目前，由德国太阳能和氢能研究中心制造的以CdS薄膜作为缓冲层的CIGS薄膜太阳能电池的最高转换率已达到20.3％。伴随着CIGS薄膜太阳能电池的蓬勃发展，CdS在太阳能领域的作用亦越受重视。同时实验研究中发现CdS异质结太阳能电池具有高转换率、低成本和工艺简单等优点，因此，CdS将是未来廉价、高效率太阳能电池发展的主要研究方向，起到促进太阳能利用推广的作用，可缓解现在以及以后的能源危机。因此，急需开发一种低成本的高纯硫化镉生产工艺以满足市场需求。目前，合成硫化镉的方法主要有氯化镉硫化氢合成法和气相合成法。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项一种低成本高纯硫化镉的制备工艺及步骤，该技术的目的在于提供一种高纯硫化镉的制备方法，其制备方法简单，生产周期较短，原料无毒无害且可循环利用，可有效降低生产成本，同时使得到的硫化镉具有较好的均一性和较高的纯度。该技术相对于现有技术，该技术至少包括如下所述的有益效果：该技术以硝酸作为催化剂和诱导剂，以镉粉和硫酸为原料制备硫酸镉溶液，此过程反应速度较快，可显著缩短生产周期，且具有尾气处理成本低、安全环保的优点，该技术制备高纯度硫化镉的方法具有单批产能大，易于产业化等优势，符合硫化镉市场高纯度、低成本、工艺简单的发展方向。现将该一种低成本高纯硫化镉的制备工艺及步骤及技术方案及实施例介绍如下供研究交流参考：（611511  238347）