一种低成本硫化镉陶瓷靶材及制备方法步骤

硫化镉(CdS)属于Ⅱ-Ⅳ族化合物，宽禁带直接跃迁型半导体，室温下禁带宽度为2.42eV，是发展光电子技术的一种理想材料，主要用来制造光电池和光敏电阻，应用于照相机自动曝光、机电设备光电控制、光电耦合、光电检测、以及光控玩具、光控照明开完等场合的光敏电阻。CdS有立方和六方两种结构，立方结构低温稳定，六方结构高温稳定。CdS由于对大部分可见光具有透过性，常作为铜铟镓硒和碲化镉的过渡层和窗口层，其中，CdS/CdTe太阳能电池模块已通过了美国环保局的可行性测试，进入产业化。由于硫是一种挥发性元素，CdS在制备过程中易产生晶格缺陷。CdS中镉原子和硫空位作为施主，镉空位和硫间隙作为受主，这一本征缺陷对CdS材料的光电性质具有重要的影响。CdS多晶薄膜有多种制备方法，通常有真空热蒸汽法、磁控溅射法、脉冲激光沉积法、化学水浴沉积法。其中，化学水浴沉积法制备CdS薄膜的研究广泛，但是水浴法会造成大量废水，而镉离子属于重金属离子，废水毒性较强这一问题制约着水浴法的发展。此外，传统化学水浴法制得的CdS薄膜表面粗糙度较大，缺陷数量多，且光学开关效应弱等因素也严重降低了其作为太阳能电池的转换效率，制约了硫化镉在太阳能电池中的应用。磁控溅射方法是CdS多晶薄膜制备的另一种重要方法，但该方法需要中间产品——靶材，靶材的性能对于薄膜的均匀性、导电性等性质具有决定性影响，因此制备良好性能的靶材就显得十分重要。

华炬新产品研究所技术咨询委员会科研人员现推荐一项一种低成本硫化镉陶瓷靶材及制备方法步骤，该技术的目的在于提供一种硫化镉陶瓷靶材及其制备方法，是以氯化镉作为助熔剂，制备出性能良好的硫化镉陶瓷靶材，以进一步制备高品质的硫化镉太阳能电池薄膜。该技术术的显著优点在于：该技术以氯化镉作助熔剂，制成的硫化镉陶瓷靶材具有致密度高、电阻率低、稳定性好、结晶完整、晶粒形貌形状大小均匀的优良特性。同时，该技术制备方法工艺技术简单，生产成本低廉；通过控制生产工艺参数，可制得不同需求、不同技术形状的产品；原材料利用率高，节约材料成本，现将该一种低成本硫化镉陶瓷靶材及制备方法步骤及技术方案及实施例介绍如下供研究交流参考：（611511  238574）